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石英晶體振蕩器
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qantek晶振,QX1晶振,SPXO晶體振蕩器.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
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QANTEK進口晶振技術公司成立于2005年,其愿景是成為具有卓越設計和技術支持的全球時間和頻率管理組件制造商.我們的供應渠道組織高效實用.所有的銷售,工程和管理職能都在Ft.美國佛羅里達州勞德代爾市.亞洲,歐洲和中東國家的直接產(chǎn)品來自位于德國和香港的三個分銷中心之一.所有北美(包括加拿大)和南美的貨物都由我們的Ft處理.除非客戶另有要求,否則佛羅里達州勞德代爾設施.銷售代表和分銷商戰(zhàn)略性地位于世界各地,并提供本地技術和產(chǎn)品支持.
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晶振項目 | 符號 | 產(chǎn)品規(guī)格 |
---|---|---|
標稱頻率 | f_nom | 4~50MHz |
頻率穩(wěn)定度 | ppm | ±20ppm,±25ppm,±50ppm,±100ppm |
輸出條件 | HCMOS | |
電源電壓 | Vcc | +1.8V,+2.5V,+3.3V |
負載電容 | CL | 15pF |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 70kΩ Max. |
絕對最大驅(qū)動電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
驅(qū)動電平 | DL | 0.1μW typ. |
并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
工作溫度 | T_use |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ -40℃~+105℃ -40℃~+125℃ |
儲藏溫度 | T_stg | −55℃~+125℃ |
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粘合劑
請勿使用可能導致SMD低功耗晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD高精度晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息.
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射.
化學制劑/pH值環(huán)境

美國QANTEK晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
QANTEK晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.過去QANTEK晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
QANTEK晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.
QANTEK晶振集團將確保其有源低電壓晶振產(chǎn)品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.

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SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO.,LTD
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