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石英晶體振蕩器
- 編號：60127444
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：1.6*1.2*0.7mm
ILSI晶振,ISM37晶振,CMOS輸出振蕩器
普通石英貼片晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶...
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ILSI晶振,ISM37晶振,CMOS輸出振蕩器.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優(yōu)勢
晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使有源晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.TXC,NDK,希華.jpg)
ILSIAmerica成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI供應商.頻率控制產(chǎn)品.通過有機增長和戰(zhàn)略收購,美國ILSI進口晶振現(xiàn)在是廣泛設計,制造和供應的全球領導者,涵蓋四個品牌的件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國ILSI晶振滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴格標準.通過以下產(chǎn)品在許多垂直市場的客戶:石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| 晶振項目 | 符號 | 產(chǎn)品規(guī)格 |
|---|---|---|
| 標稱頻率 | f_nom | 32.768KHZ |
| 頻率穩(wěn)定度 | ppm |
±15ppm、±20ppm、±30ppm、±50ppm
|
| 輸出條件 | CMOS | |
| 電源電壓 | Vcc | +1.8V,+2.5V,+3.3V |
| 負載電容 | CL | 15pF |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 70kΩ Max. |
| 絕對最大驅(qū)動電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
| 驅(qū)動電平 | DL | 0.1μW typ. |
| 并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
| 頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
| 工作溫度 | T_use |
0℃~+70℃ -20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃ |
| 儲藏溫度 | T_stg | −40℃~+105℃ |
TXC,NDK,希華.jpg)
未用輸入終端的處理未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致石英晶振非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶振性能受到損害,因此應避免照射.
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
噪音
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)溫補晶振功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20mm范圍之間).
.
美國ILSI晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶振、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
美國ILSI晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
ILSI晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.過去ILSI晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
美國ILSI晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).
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ILSI晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.過去ILSI晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
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